芯物联 4 月 24 日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子正探索将混合键合技术用于逻辑芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封装的 2nm 移动端处理器。混合键合已在 3D NAND 闪存中使用，未来即将用于 HBM4 内存。新项目将是三星首次尝试在逻辑芯片中应用这一键合技术。
芯物联 4 月 24 日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子正探索将混合键合技术用于逻辑芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封装的 2nm 移动端处理器。
IT之家注：混合键合技术是一种无凸块（焊球）的直接铜对铜键合技术。相较采用凸块的传统键合技术，混合键合可降低上下层芯片间距，提升芯片之间的电信号传输性能，增加 IO 通道数量。
混合键合已在 3D NAND 闪存中使用，未来即将用于 HBM4 内存。新项目将是三星首次尝试在逻辑芯片中应用这一键合技术。
报道指，三星目前将 2026 年下半年设定为 3D 移动处理器的量产时间，目标到时将每个 IO 端子之间的间距降低至 2 微米，进一步提升 IO 数量。
为实现这一目标，三星电子的代工和先进封装部门已在进行合作。
目前尚不清楚混合键合 3D 移动处理器将在三星自身产品还是代工项目上首发。未来这一技术有望扩展到 HPC 芯片等其他逻辑半导体领域。
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