IP开发商和代工厂之间的设计协作对于最大限度地提高电路性能和功耗至关重要。2月21日，Arm 和三星宣布，他们将共同优化 Arm 下一代高性能 Cortex-X 和 Cortex-A 内核的设计，以用于三星即将推出的工艺技术，这些技术依赖于全环绕栅极 （GAA） 多桥通道 FET （MBCFET） 晶体管。
此次合作的重点是针对三星下一代 2nm 级工艺技术优化 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 通用 CPU 内核，尽管两家公司没有透露他们是否打算为三星预计于 2025 年推出的 SF2 生产节点或预计将于 2026 年推出的 SF2P 制造工艺定制 Arm 的 IP。
（图片来源：三星）
Arm 和三星表示，他们将为广泛的应用定制 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 内核，包括“下一代数据中心和基础设施定制芯片”、智能手机以及各种需要高性能通用 CPU 内核的基于小芯片的解决方案。
Arm高级副总裁兼客户业务总经理Chris Bergey表示：“在最新的三星工艺节点上优化Cortex-X和Cortex-A处理器凸显了我们的共同愿景，即重新定义移动计算的可能性，我们期待继续突破界限，以满足AI时代对性能和效率的无情要求。
由于 Arm 和三星之间的联合合作，两家公司的客户将能够根据需要为其定制设计授权三星 2nm 优化版本的 Cortex-A 或 Cortex-X 内核。这将简化开发过程并加快上市时间，这可能意味着我们可能会早日看到三星制造的用于数据中心和邻近应用的 2nm 设计。然而，就目前而言，Arm和三星对何时能够为他们的共同客户提供合作的第一批成果守口如瓶。
与当今广泛使用的 FinFET 晶体管不同，基于 GAA 纳米片的晶体管可以通过多种方式进行调谐，以最大限度地提高性能、优化功耗和/或最大限度地提高晶体管密度。因此，我们期待两家科技巨头之间的合作取得相当可观的成果。
虽然 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 内核在架构方面相似，但 Cortex-X 往往具有性能优化，使它们能够运行得更快。这些内核应该在未来几年的某个时候从Arm和三星的设计技术协同优化（DTCO）中获益。
