SK海力士正在加大在先进芯片封装方面的支出，希望抓住市场对高带宽内存（HBM）需求日益增长而带来的机遇。
SK海力士封装开发主管李康宇（Lee Kang-Wook）表示，该公司正在韩国投资逾10亿美元，以优化芯片封装工艺、扩大芯片封装产能。
SK海力士在芯片封装技术上的创新，是其HBM产品成为最受欢迎的AI内存芯片的核心优势。如果能够在芯片封装工艺上再进一步，将是SK海力士降低功耗、提高性能和巩固公司在HBM市场领先地位的关键。
SK海力士加码投资HBM封装
在当前数据中心GPU加速器的发展中，HBM内存所担任的角色极为重要。而在HBM生产的过程中，芯片封装工艺变得越来越重要。
虽然SK海力士没有公布今年的资本支出预算，但分析师的平均估计是14万亿韩元（约合105亿美元），而先进的封装技术（可能占到总支出的十分之一）是重中之重。
李康宇在接受采访时说，“半导体行业的前50年主要是在前端”，也就是芯片本身的设计和制造，“但接下来的50年将是关于后端”，即封装。
在这场竞赛中率先实现下一个里程碑，可以使企业迅速进入行业领先地位。
随着SK海力士被英伟达选定为其人工智能加速器的HBM供应商，该公司的市值已经达到119万亿韩元（约合894亿美元）。自2023年初以来，SK海力士股价已经累计上涨了近120%，使其成为韩国市值规模第二大的公司，甚至超过了三星和美国竞争对手美光科技。
现年55岁的李康宇参与开创了一种新的方法来封装第三代HBM2E，这一创新是SK海力士在2019年底赢得大客户英伟达的关键。相较之下，三星此前将战略重心放在芯片制造的其他领域，在HBM的赛道上落在了后方。
里昂证券韩国市场分析师桑吉夫•拉纳（Sanjeev Rana）表示：“SK海力士的管理层对这个行业的发展方向有更好的了解，他们做好了充分的准备…当机会来临时，他们会紧紧抓住。”至于三星，“他们被打了个措手不及。”
竞争压力正在增加
尽管SK海力士拥有先发优势，但三星和美光现在正在HBM赛道上奋起直追。
此前多年，三星一直被其高层领导人的司法问题所困扰。但随着三星电子会长李在镕最近被判无罪，该公司所承担的压力正在减轻，并开始在HBM赛道上迎头追赶。英伟达去年认可了三星的HBM芯片，三星在2月26日表示，它已经开发出了第五代技术HBM3E，该技术具有12层DRAM芯片，容量为36GB，是业界最大的。
就在同一天，美光宣布开始批量生产24GB 8层HBM3E芯片，这一消息令行业观察人士感到意外。该芯片将成为英伟达第二季度出货的H200 Tensor Core芯片的一部分。
尽管竞争压力在增大，但SK海力士对于未来前景依旧乐观，并已经做出扩大产能、提高技术的宏大计划。
不仅是在韩国，SK海力士还计划在美国建立价值数十亿美元的先进封装厂，而这些投资，将为满足未来几代HBM的需求奠定基础。
