芯物联1月28日消息，据媒体报道，佳能负责新型光刻机的高管在接受采访时表示，采用纳米压印技术的佳能光刻设备FPA-1200NZ2C目标今年或明年出货。
去年10月中旬，佳能公司宣布推出基于纳米压印的FPA-1200NZ2C，佳能表示，该设备采用不同于复杂的传统光刻技术的方案，可以制造5nm芯片。
佳能表示，这套设备的工作原理和ASML的光刻机不同，并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接通过压印形成图案。
相较于目前已商用化的EUV光刻技术，尽管纳米压印技术的芯片制造速度要比传统光刻方式慢，但铠侠在2021年就曾表示，纳米压印技术可大幅减少耗能，并降低设备成本。
原因在于纳米压印技术的制程较为简单，耗电量可压低至EUV技术的10%，并让设备投资降低至仅有EUV设备的40%。
另外，纳米压印设备还可以使得芯片制造商降低对于ASML的EUV光刻机的依赖，使得台积电、三星等晶圆代工厂可以有第二个路线选择，可以更灵活的为客户生产小批量芯片。
不过佳能CEO三井藤夫曾在采访中表示，佳能可能无法将这些设备出口到中国，“我的理解是，任何超过14nm技术的出口都是被禁止的，所以我认为我们无法销售。”
