芯物联12 月 19 日消息，SamMobile消息称，ASML 将于未来几个月内推出用于 2nm 制程节点的芯片制造设备，将数值孔径（NA）光学性能从 0.33 提高到 0.55，而三星计划在 2025 年底开始生产 2nm 芯片。
据称，ASML 明年规划产能仅有 10 台，而英特尔已经预订了其中 6 台，不过 ASML 计划在未来几年内将此设备产能提高到每年 20 台。
目前，ASML 官网列出的 EUV 光刻机仅有两款 ——NXE:3600D 和 NXE:3400C，均配备 0.33 NA 的反射式投影光学器件及 13.5nm EUV 光源，分别适用于 3/5nm 和 5/7nm 芯片制造。
▲ NXE:3600D
ASML 发言人曾透露，EXE:5200 是 ASML 下一代高 NA 系统，具有更高的光刻分辨率，可将芯片缩小 1.7 分之一，同时密度增加至 2.9 倍。
▲ ASML 高 NA 系统路线图
之前的报道显示，ASML 第一台 0.55 NA EUV 光刻机计划于 2025 年后量产，第一台将交付给英特尔。
英特尔发言人称，公司将成为 ASML 第一台 EXE:5200 的买家。与 EXE:5000 相比，EXE:5200 预计将带来几项改进，包括更高的生产率等等。
根据 Gartner 分析师 Alan Priestley 的预测，0.55 NA EUV 光刻机单价将翻番到 3 亿美元（IT之家备注：当前约 21.42 亿元人民币）。
