高华科技:SOI原理MEMS压力芯片已完成初样验证,预计2023年年底实现量产

高华科技近期在接受调研时表示,2023年上半年,公司自研的扩散硅原理MEMS压力芯片已实现量产;SOI原理MEMS压力芯片已完成初样验证,并开始进行小批量试制,预计2023年年底实现量产。完成了磁致伸缩位移传感器型谱化、采高传感器、转速传感器等产品研制。

高华科技近期在接受调研时表示,2023年上半年,公司自研的扩散硅原理MEMS压力芯片已实现量产;SOI原理MEMS压力芯片已完成初样验证,并开始进行小批量试制,预计2023年年底实现量产。完成了磁致伸缩位移传感器型谱化、采高传感器、转速传感器等产品研制。

针对长征系列运载火箭无缆化需求,完成新一代无线传感网络系统的优化迭代。2023年上半年,新增发明专利申请5项,取得发明专利授权4项。公司未来计划针对四大技术方向开展研发攻关,分别为MEMS传感芯片技术研发、传感器新产品研发、传感网络系统平台技术研发和智能设备运维管理系统研发。

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