四季度手机DRAM合约价季度涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash中，eMMC、UFS四季度合约价涨幅约10~15%。存储行业渠道端的库存水位接近见底，且惜售低价囤货的预期心态强烈，不倾向采取激烈促销竞争，因此渠道商乐观预期双十一出货有望优于618。
存储芯片涨价势头进一步扩张。
TrendForce最新研究显示，四季度手机DRAM（Mobile DRAM）合约价季度涨幅预估将扩大至13~18%；NAND Flash中，eMMC、UFS四季度合约价涨幅约10~15%。由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。
而在此之前，TrendForce调查后给出的预期为：DRAM合约价预计第四季度涨幅3-8%；NAND Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。
如今季度涨幅为何扩大？主要有几方面原因：
其中供应方面，随着三星扩大减产、美光释出逾20%涨幅等举动，都在持续为行业涨价奠定信心基础。需求端而言，一方面传统旺季带动Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）需求上升，另一方面华为Mate 60系列等也持续刺激中国智能手机品牌扩大生产目标，导致短时间需求涌入，进一步推动四季度合约价上涨。
