岛内讨论大陆与台湾芯片“差几年”

岛内网络论坛PTT上11日一则话题引起不少讨论——有一名网民提问,“现在台积电领先大陆几年”。他称,以前看到新闻说“不用怕,至少领先大陆20年”,然而前年说是5年,现在又说是3年,“不说超车,有没有可能追上?”一时间,评论里给出各种回答。事实上,两岸芯片技术差距有多大,一直是岛内关注的话题。

岛内网络论坛PTT上11日一则话题引起不少讨论——有一名网民提问,“现在台积电领先大陆几年”。他称,以前看到新闻说“不用怕,至少领先大陆20年”,然而前年说是5年,现在又说是3年,“不说超车,有没有可能追上?”一时间,评论里给出各种回答。事实上,两岸芯片技术差距有多大,一直是岛内关注的话题。

关于两岸芯片技术发展的差距,岛内专家与媒体一直颇为关注。台湾联合新闻网去年6月援引紫光集团前高级副总裁、前日本尔必达社长坂本幸雄的话称,大陆占世界半导体生产的比重为15%,但其中英特尔等外资企业占60%,中企的比重仅40%,而大陆半导体产业当前的要务是研发,但肩负半导体产业发展者主要出自台湾。他认为,在DRAM领域处于大陆顶尖水平的长鑫存储,与三星电子相比落后四代左右;在运算用逻辑芯片领域,顶尖的中芯国际最好的产品也只是14纳米,这已是七八年前的技术,而台积电正在开发2纳米的产品。另据BusinessKorea报道,韩国进出口银行旗下海外经济研究院(OERI)当时预估,大陆在DRAM和NAND闪存方面与韩国的技术落差分别达5年和2年。

今年5月,台湾“中央社”提到,台积电3纳米芯片去年量产,2纳米预计2025年量产,会领先全世界。台湾中时电子报8月称,除了荷兰之外,日本和台湾也面临来自美国的要求,削减与大陆芯片贸易的压力。而这样的禁令将严重影响大陆供货商,因为大陆光刻机产品与国外最好的光刻机之间存在十多年的差距。文章同时提到,上海微电子设备已经完善28纳米深紫外光刻机,预计于今年年底开始使用该技术生产芯片。华为还申请了极紫外光刻专利,该方法用于制造世界上最先进的芯片。

台积电创办人张忠谋认为,在芯片制造技术方面,大陆起码落后台湾5-6年。不过,台“风传媒”发表过一篇题为“台湾半导体优势还能撑多久”的文章称,相较于大陆与韩国政府不断公开宣示扶植自家半导体厂商的决心,台当局这几年的半导体产业政策走的却是“佛系”风格。在这种环境下,台湾半导体业者还能否维持竞争力,业界早有警觉。台湾《工商时报》10月10日报道称,曾有学者表示,大陆半导体技术还要5到10年时间才能赶上海外对手,但近日华为推出的Mate 60 Pro旗舰手机内含7纳米制程的先进芯片,已令欧美更加不安。(张若)▲

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